Röntgen-Photoelektronen- Spektroskopie
Chemische Analyse von Oberflächenbelegungen ( Informationstiefe der Messung ca.10 nm ) dünnen Schichten ( <0.5 µm ) mittels Tiefenprofil
| Untersuchungsmethode | Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie |
| Kurzzeichen | XPS |
| Gerätetyp und Ausrüstung | SSI M-Probe |
| Funktionsprinzip | Messung der elementspezifischen Energie von Photo-Elektronen, die mittels Röntgenstrahlung aus der Oberfläche der Probe herausgeschlagen wurden. Teilweise sind auch Bindungsvarianten unterscheidbar. |
| Typische Anwendungen | Chemische Analyse von Oberflächenbelegungen ( Informationstiefe der Messung ca.10 nm ) dünnen Schichten ( < 0.5 µm ) mittels Tiefenprofil |
| Nachweisgrenze | |
| Anforderungen an Probe | Messfläche >1 mm²; max. Probengrösse : 20 x 20 x 5 mm |
| Akkreditierung / Zertifizierung | ISO17025 |
Beispielanwendungen für Röntgen-Photoelektronen- Spektroskopie
XPS für Pharma und Chemie
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XPS für Aluminium Oberflächen
Verunreinigungen auf der Oberfläche sind der häufigste Grund für Fehlerbilder auf anodisierten Oberflächen. Mit einer XPS Analyse lassen sich die Verunreinigungen charakterisieren.
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XPS für technische Sicherheit
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Eine Übersicht weiterer Methoden aus dem Bereich chemische Analytik finden Sie in unserem Lexikon – chemische Analytik und aus dem Bereich Materialographie und Metallographie finden Sie in unserem Lexikon – Materialographie
